180 нм tachnology пропорций и LAMDA поведение

[lasha]

привет м разработка с моей каденции инструмент .... а т анализа, я хотел бы знать поведение LAMDA с соотношением сторон в 180 нм технологии, как для ПМ и NMOS ..... может кто-то мне помочь ???????

 

[erikl]

[COLOR = "Blue"] Дэвид М. Бинкли [/COLOR] "компромиссы и оптимизации в аналоговый КМОП-Дизайн" на стр. 153 .. 163 дает полное представление о 0.18μm CMOS-процесса Рано напряжения (V [SIZE = 1] [/size]) зависимость от транзистора длина (L), коэффициент инверсии (IC), и сток-исток напряжения (V [SIZE = 1] DS [/size]). Довольно грубая аппроксимация для этого процесса является V [SIZE = 1] [/size] = 10В в (мкм длина канала); длина канала модуляции (CLM) коэффициент лямбда = λ = 1 / V [SIZE = 1] [ / size].