G
Guest
Guest
Привет, я стараюсь использовать силицидов и N-равно создавать диод Шоттки.Хотя изложение в IBM CMRF8SF, я использовал три слоя: N-равно, площадь контакта шпилька (для подключения активной области или поликремний линии металла 1) и металла 1.(Конечно, есть ошибки в ДРК, которые должны быть разъяснены литейного).Будет силицидов и N-контакт хорошо быть созданы таким образом?Если нет,
то я могу использовать N-равно, активная область, квадратный шпилька контакт металла и 1, чтобы создать Шоттки контакт.Но как блок источника
И умов ионной имплантации?
Большое спасибо.
Извините, но вам необходимо войти в аккаунт это вложение
то я могу использовать N-равно, активная область, квадратный шпилька контакт металла и 1, чтобы создать Шоттки контакт.Но как блок источника
И умов ионной имплантации?
Большое спасибо.
Извините, но вам необходимо войти в аккаунт это вложение