M
microwaver
Guest
что с лучшими IIP3-NF при определенных тока для Gilbert Cell смесителя?
Navigation
Install the app
How to install the app on iOS
Follow along with the video below to see how to install our site as a web app on your home screen.
Note: This feature may not be available in some browsers.
More options
You are using an out of date browser. It may not display this or other websites correctly.
You should upgrade or use an alternative browser.
You should upgrade or use an alternative browser.
G
Guest
Guest
Изменение ур процесс 0.13um, 90nm ...
F
fanshuo
Guest
Новый процесс всегда ухудшается линейность
и я понимаю, почему это может улучшить NF.
Для лучшего Н.Ф., сжигает больше энергии, всегда помогает в Н.Ф., увеличение более-драйв крутизна этапе хорошо для IIP3
Последняя редакция fanshuo Июль 07 2008 13:48; редактировалось 1 раз в общей сложности
и я понимаю, почему это может улучшить NF.
Для лучшего Н.Ф., сжигает больше энергии, всегда помогает в Н.Ф., увеличение более-драйв крутизна этапе хорошо для IIP3
Последняя редакция fanshuo Июль 07 2008 13:48; редактировалось 1 раз в общей сложности
M
microwaver
Guest
благодарю!
Я думаю, там возможно некоторое оптимальное значение для IIP3-NF при определенных тока.
Можно ли достичь IIP3 вокруг 10dBm Н.Ф. <15dB текущего хвостом <1 мА 2G downconverting до 10МГц помощью .35 процесс?
Я думаю, там возможно некоторое оптимальное значение для IIP3-NF при определенных тока.
Можно ли достичь IIP3 вокруг 10dBm Н.Ф. <15dB текущего хвостом <1 мА 2G downconverting до 10МГц помощью .35 процесс?
F
fanshuo
Guest
Я никогда не использовал 0,35
Таким образом, я точно не знаю
Лучше рассчитать ее самостоятельно.
Книга Боско Леунг по микроволновой VLSI Circuit Design бы быть полезным.
microwaver пишет:
благодарю!
Я думаю, там возможно некоторое оптимальное значение для IIP3-NF при определенных тока.
Можно ли достичь IIP3 вокруг 10dBm Н.Ф. <15dB текущего хвостом <1 мА 2G downconverting до 10МГц помощью .35 процесс?
Таким образом, я точно не знаю
Лучше рассчитать ее самостоятельно.
Книга Боско Леунг по микроволновой VLSI Circuit Design бы быть полезным.
microwaver пишет:
благодарю!
Я думаю, там возможно некоторое оптимальное значение для IIP3-NF при определенных тока.
Можно ли достичь IIP3 вокруг 10dBm Н.Ф. <15dB текущего хвостом <1 мА 2G downconverting до 10МГц помощью .35 процесс?
R
RF-
Guest
Шум во многом зависит от тока через электронные устройства, так что держите его за нижнюю лучшего шумовых характеристиках.IP3 пропорционально произведению V и I. Таким образом, если не может увеличиваться я из-за шума требования можно увеличить напряжение.Я помню много лет назад я разработал РФ передней части с Каскодный усилитель LNA и Vcc было около 120 V, однако в настоящее время содержатся небольшие.Линейности и шумовых характеристиках встретились Spec.
M
mbyoussef
Guest
"Шум во многом зависит от тока через электронное устройство, поэтому держать его ниже для лучшей производительности шум"
Я не согласен с этим заявлением.Шум в КМОП-транзисторах, например, как правило, тепловые и сокращение текущих означает увеличение сопротивления канала и, следовательно, увеличения NF.Это может быть правдой, если ваш основной шум дробового шума.
Я не согласен с этим заявлением.Шум в КМОП-транзисторах, например, как правило, тепловые и сокращение текущих означает увеличение сопротивления канала и, следовательно, увеличения NF.Это может быть правдой, если ваш основной шум дробового шума.
R
RF-
Guest
Может быть.Я не IC дизайнера и не работаем с CMOS.Я просто помню теорию шум и уравнения, которые ясно показывают, как шум зависит от тока.