о крутизне мес к '

[urian]

привет, есть я использую 0.13u PDK для выполнения моей конструкции. я найти параметры μ0 = 440cm ² / V • S и Tox = 3n для NMOS то я использовать уравнение к '= и0 • Кокс для вычисления крутизны и в результате около 500 мкА / V ². я не уверен, что результат справедлив и для я видел в учебнике его типичных долине среди 50 ~ 150 мкА / V ², и я думаю, что результат моих слишком large.Does все в порядке? С наилучшими пожеланиями urian

 

[dedalus]

50-150 мкА / V ² является типичным значением К за Tox ~ 100 ангстрем. В вашем случае Tox = 30 ангстрем, что вы получили ~ 3 раза большее значение К.

 

[sjamil02]

Я хотел бы использовать K '= UoCox / 2. Uo является мобильность поверхности носителя, и это значение стало меньше в насыщении (ООН). Проверьте предыдущие тему на форуме .... Есть несколько обсуждение К. ура SJ

 

[urian]

привет, есть я использую 0.13u PDK для выполнения моей конструкции. я найти параметры μ0 = 440cm ² / V • S и Tox = 3n для NMOS то я использовать уравнение к '= и0 • Кокс для вычисления крутизны и в результате около 500 мкА / V ². я не уверен, что результат справедлив и для я видел в учебнике его типичных долине среди 50 ~ 150 мкА / V ², и я думаю, что результат моих слишком large.Does все в порядке? С наилучшими пожеланиями urian

 

[dedalus]

50-150 мкА / V ² является типичным значением К за Tox ~ 100 ангстрем. В вашем случае Tox = 30 ангстрем, что вы получили ~ 3 раза большее значение К.

 

[sjamil02]

Я хотел бы использовать K '= UoCox / 2. Uo является мобильность поверхности носителя, и это значение стало меньше в насыщении (ООН). Проверьте предыдущие тему на форуме .... Есть несколько обсуждение К. ура SJ