емкости, индуктивностей на высоких частотах

[mfarhan1]

Уважаемые все
Я знаю, этот вопрос я сдачи предлагается много раз с разных условиях, но я не могу т найти прямой ответ на него,
поэтому я прошу вашего совета.

Пусть говорят Я смоделированными конденсатора (или индуктивности), в EM моделирования,
в настоящее время самым распространенным методом измерения емкости (или индуктивность) является измерение мнимой части Y11.

.

Теперь это имеет смысл, но, как мы идем выше частота мнимая часть doesn т составляют лишь емкости (или индуктивность), но паразитарных индуктивностей, так что для
определения мнимой части не является действительным приближении больше.Как найти емкость или индуктивность сейчас?

Одно из решений, что происходит, на мой взгляд, заключается в использовании паушальной эквивалентную модель индуктивности или конденсатор.Позвольте сказать, что я знаю конденсатора эквивалента паушальной модели (показано на рисунке) теперь опять, как мне найти значения всех компонентов, который дает тот же окончательный реактивной составляющей.

like Pi ledder rational polynomial
etc which gives equavalent values but can i somehow put my capacitor model in SPICE and get the lumped components values?

Люди говорят использования SPICE модели теперь я новые к нему, насколько я знаю, она имеет несколько предопределенных моделей,
как Пи ledder рациональный многочлен
и
т.д., которые предоставляет equavalent значения, но можно ли поставить свою конденсатор модели SPICE и получить сосредоточенными компонентов ценности?

Большое спасибо нетерпением ждем ваших Отзывы
Извините, но вам необходимо войти в аккаунт это вложение

 

[Abhishekabs]

Привет mfarhan1
Я имею 1 предложение.
Скажем, у вас есть моделирования, разработан и сделал микрополосковая или сосредоточенными конденсатор / индуктора.
Попробуйте измерения емкости
И Индуктивность использованием LCR метр.
и перекрестные проверки.

 

[mfarhan1]

@ Abhishekabs
Спасибо за ваш ответ.
Я хочу имитируемых результатов, потому что я хочу сделать дизайн набора для винтовых индуктора и MIM конденсатор так измерений не является возможным вариантом,
Любые другие предложения

 

[bala_uzzal]

Привет mfarhan1,
Если вы знаете geomtery то можно вычислить емкости и индуктивности на высоких частотах с использованием FastCap и FastHenry (с помощью редактора FastModel).Это бесплатно, вы найдете его http://www.fastfieldsolvers.com/

С уважением,
Uzzal

 

[Guest]

Привет, если я понимаю ваш вопрос, вы можете получить приблизительные результаты для конденсатора, предполагая Z = SQRT (ESR ^ 2 (XL-Xc) ^ 2).Хотя XL = ωL и Xc = 1/ωC.Если у вас есть Z (F) по сравнению с frequancy функция данных из Ваших средств моделирования, то нижняя точка будет represnt с ЭПР и вытекающие функции достаточно далеко от точки поворота можно вычислить индуктивность.

 

[madengr]

В емкости является доминирующим на низких частотах и минимальных ЛЭП эффекты.Поэтому мера S11 с другими DUT открыть терминал и Вы измерительные С11 | | (C12 C22); " " означает, в серии "| |" означает одновременно.Теперь короткий терминала для измерения С11 | | С12.Если предположить, C22 = С11 можно вычислить C12, или отменить DUT получить 2 измерения для решения всех трех неизвестных.

Теперь вам нужно найти 1 резонансной частоты (серия резонансных).Вы можете сделать это с S21 ряд измерений, но лучше поставить в DUT шунта и измерять частоту и глубину бороздки.С резонансной частоты можно определить L11 L22, и из глубины бороздки можно определить R11 R22.Конечно, технически R и G могут быть получены из DC измерения, но они зависят от частоты, чтобы Вы могли получить разные результаты, и G настолько мала, что Вы не можете меру Р.

Тогда вам будет сравнить с сосредоточенными модель реагирования на измерениях и настроить его.

Поэтому действительно это вопрос измерений на низких, высоких и резонансной частоты и прекращения производства с открывается и шорты.Из этого можно извлечь значения для сосредоточенными элементами.Вы даже можете снять DUT от Заземленная к минимуму С11 и C22.

Если вы читаете на малый сигнал модели добычи они будут подробно некоторые из методов.