C
chang830
Guest
Привет, В моей конструкции, мощности MOSFET интегрирован в чип. У нас есть озабоченность тела диод мощность MOSFET будет иметь негативное влияние на производительность. Интересно, если это действие может быть представлено в моделирование? Иными словами, в нормально, паразитный диод imcluded в модели специй БСИМ? PLS. дать мне несколько советов. Спасибо