Срочно, о подпороговых схем в процессе CMOS

[rficd]

ВСЕ, я встречаю головоломки проблемы. В напряжении, последователя, я нахожу много транзисторов в пороговой области и производительности, что хорошо для большого изменения питания. По общему правилу, транзисторы должны быть в активной области. Я получаю в результате чего производительность повышается в то время как транзистор в подпороговых, чем в активной с большим изменением питания после того как я стараюсь много раз. может быть, есть некоторая магия. Пожалуйста, дайте мне несколько советов по этой проблеме. Или кто-то может загрузить некоторые конструктивные материалы о subthresold дизайн схемы в процесс CMOS. Является subthresold схемных популярен сейчас в коммерческом дизайне КМОП ИС. Кроме того, такое подпороговых схема надежная в то время как блок питания колеблется в широких пределах.

 

[pthoppay]

Я действительно сомневаюсь свой комментарий на совершенствование регулирования энергоснабжения в подпороговой области. Так, блок питания подавления шумов в основном зависит от выходного сопротивления транзистора и выходное сопротивление не зависит от рабочей области и зависит только от тока смещения. К югу от порога или слабая инверсия (WI) операции широко используется в местах, где они нужны очень низким энергопотреблением. как правило, в регионе WI МОП-транзисторы являются предвзятыми в 1uA, что приводит к очень низким энергопотреблением. Пожалуйста, постарайтесь найти какой-либо статье профессора Эрика Vittoz или Christain Enz чтобы узнать больше о югу от порога срабатывания. Пракаш.

 

[szekit]

не могли бы вы опубликовать некоторые документы от авторов?

 

[manish12]

Подпороговые регионе он надеется быть хорошим, но в этом регионе транзистор не входит к отсечки в любом состоянии, которое является основной проблемой для чип дизайнер. Также эта технология имеет проблемы с интерфейсом с учетом современных технологий.

 

[umagne]

С февраля 2011 года будет доступна на АСК методологии проектирования ссылок Подпороговые напряжения, его DOI является 10.1109/JSSC.2010.2092997