Почему CMOS не является хорошим выбором для разработки PA?

[ajhsu]

Что такое ограничение & недостаток?
Спасибо большое.

 

[rfsystem]

Если вы сравните 3 (4) терминальных устройств продуктом текущего gainbandwidth и напряжение пробоя важно.

Для МОП-устройств, которые вы получите около 70-100 ГГц * В.SiGe Биполярный составляет около 2 * 3 раза выше.GaAs еще одним фактором в 1-1,5.

MOS иметь дополнительный недостаток, что выше скорости верно только в случае, если напряжение насыщения является очень высоким.Tha означает, что значительное количество выходная мощность loost в устройстве.Это происходит потому, MOS ведут себя скорее как контролируемые резистора вместо источника тока.Если разбивка низкий вам придется использовать очень низком сопротивлении нагрузки для получения такой же мощности.Это нужно перейти на антенну сопротивлением от дорогостоящих, просторный и loosy сетей преобразований.

Тем не менее преимущества интеграции диктовать интегрировать ПА с худшим устройств.

 

[SkyHigh]

У меня есть несколько добавить:

1.CMOS ПА шумный, говоря об устройстве шума, как мерцание и тепловые, особенно фликкер-шум.Это гораздо худшее для ДО, хотя NMOS это ничуть не лучше.Хотя CMOS является весьма эффективным в реализации, чем биполярный в Fab, наиболее CMOS основан на технологии поверхностного канала устройства, это делает CMOS определенно чувствительны к фликкер-шум, на низких частотах.
При высоких и очень высоких частотах, CMOS не является проблемой.
Вместо BJT всегда страдает от EH шум на любой частоте, выше чем хуже.

2.С точки зрения пропускной способности, CMOS не могут работать при гораздо более высокой пропускной способностью, как биполярное и GaAs Ones.BJT также более стабильна, но требует более MOS сеансового уровня трюков для компенсации.

3.Легче матча сопротивление нагрузки помощью BJT чем MOS.Для MOS, нужно умно соответствия его с Л, Р и других гибридных сетей.

4.CMOS дрейфует очень легко, потому что геометрически-надежным.BJT является допинг-зависимыми, поэтому оно не имеет вопрос здесь.

5.Несмотря на все недостатки CMOS, есть одна вещь CMOS бьет все.Он совместим с цифровыми CMOS.Вы можете реализовать смешанных сигналов RF-аналого-цифровые в одном умрет, все с использованием той же технологии CMOS, как правило, 0,18 и выше.Это трудно осуществить на 0.13 и ниже, потому что ошибка линейности несоответствием очень высокой в ультра-глубоких субмикронных.
CMOS всегда имея линейность вопросов.Это не является проблемой в биполярном.