привет .... Как вы знаете, что в случае NMOS, подложка р-типа, так и для образования канала зависит от напряжения на затворе + ве и с подложкой р-типа, она имеет отверстия, в качестве основных носителей и электронов, как меньшинство да, то когда небольшие Положительный напряжение у ворот-ве заряда начнет ближайшие closser сформировать канал, но он не будет достаточно для току течь через стоком и истоком. как ворота становится более положительному более-ве обвинения приходят closser между истоком и стоком, и эти избыточные электроны предоставляются п + регионов так оно должно быть п + для оказания этих избыточных электронов для формирования invertion слоя и ток. я надеюсь, что его хорошо ... Ват U сказать ....
This site uses cookies to help personalise content, tailor your experience and to keep you logged in if you register.
By continuing to use this site, you are consenting to our use of cookies.
