Подкатегории порог насыщения - это нормально?

[Guest]

Я сделал opamp и обнаружили при некоторых входных напряжений, входных дифференциальных транзисторов
В суб-порог saturation.It Mens Vgs <Vth,Vds> Vdsat.And тока моделирование показывает DC получить и ТЧ так же как и другие входное напряжение, которое в
входной диапазон напряжения.
Разве это нормально для opamp?
Архитектура просто сложить cascode architechture.Thanks.

 

[DenisMark]

Подкатегории порог (ака слабой инверсии) район является нормальным для сравнения.Пара OPAMP.
В этом регионе u've максимально transconductance efffectiveness ГМ / Там же.Это дает U один шаг вперед в плане: получить (GM * Ро => (GM / ID) * VA), GBW (GM / CC), вход Реферали шума, ввода Сдвиг / соответствие (компенсируется рядом с порогом напряжения несоответствия).На другой стороне slewrate уменьшается (requere убил курсов повышения техники) и ТЧ, поскольку высокий коэффициент усиления и расширения GBW.
Somebody'll добавить, что я забыл.

 

[pfd001]

это нормально

 

[Guest]

DenisMark писал:

Подкатегории порог (ака слабой инверсии) район является нормальным для сравнения.
Пара OPAMP.

В этом регионе u've максимально transconductance efffectiveness ГМ / Там же.
Это дает U один шаг вперед в плане: получить (GM * Ро => (GM / ID) * VA), GBW (GM / CC), вход Реферали шума, ввода Сдвиг / соответствие (компенсируется рядом с порогом напряжения несоответствия).
На другой стороне slewrate уменьшается (requere убил курсов повышения техники) и ТЧ, поскольку высокий коэффициент усиления и расширения GBW.

Somebody'll добавить, что я забыл.

 

[DenisMark]

Прочитайте его.
http://www.edaboard.com/viewtopic.php?p=651757 # 651757
http://www.edaboard.com/viewtopic.php?p=762910 # 762910

Да,
г возросла на текущий же, вы можете сохранить размер (W * L), увеличив коэффициент W / L некоторые ограничения.Имейте в виду, что короткие Шанель устройства будут иметь низкий разгром и страдают от повышения mismatching.Очень крупные GBW дает вопрос с ТЧ, поскольку высокие частоты полюсов и нулей являются apeared.Это предмет компромисса.

 

[jeepx5]

Это зависит от вашего приложения

 

[gte582w]

В некоторых RR OpAmp проектирование, люди намеренно смещения входного MOS в суб-VT региона для более простой и ГМ вариации контроля.

 

[lghhust]

GM = I / (NKT), так что GM может быть практически постоянной, поэтому Gain
И PM остаются прежними.