P
pedrogush
Guest
Привет, я был озадачен вид в последнее время о том, как идти о выборе исходных параметров для МОП-транзисторов на операционном усилителе. После обсуждения с моим учителем мне сказали, что BSIM3v3 параметров модели, которые доступны для нас не подходят для использования в ручку и бумагу расчетов с 1-го уровня модели. В настоящее время метод я использую для разработки, это выбрать произвольные значения для ширины и длина транзисторов и пытаются оптимизировать их корыто подметание с симулятором. Я считаю, что правильный способ работы будет иметь твердую отправную точку, без необходимости принимать такие решения, как я чувствую, что они ограничивают нашу способность объяснить схему другого студента или преподавателя. Может кто поможет? Это было бы весьма признательны, так как я еще новичок в электронике. EDIT: Исправлена опечатка.