Мне нужна Ваша помощь

M

Mr.Doyle

Guest
Pleace, может какой-либо одной мне помочь решить эту проблему .... Я в самом деле проблема .... Мне нужна ваша помощь.

(а) разработка схемы показано ниже, такое, что IDQ1 = 1mA, IDQ2 = 2mA, VDSQ1 = 4V и VSDQ2 = 5V.Транзистор параметров в схеме на рис.являются: Kn1 = 0.1mA/V2, Kp2 = 1.0mA/V2, VTN1 =
2 V, VTD2 =-2V, и λ1 = λ2 = 0.Схема параметрами являются: VDD = 10V, RS1 = 4kΩ и Rin = 200kΩ.Рассчитать малого сигнала напряжения получить
пр. В.О. = / VI.Определить максимально симметрично подменных в выходное напряжение.Предположим, вход синусоидальный 10mV с амплитудой и частотой 100kHz и все конденсаторы 1uF.
(б) Если нагрузка 1kΩ подключена на В.О., какие бы новые выгоды.Редизайн усилителя таким образом, чтобы ее получить будет практически независима от стоимости груза.

и эта схема:<img src="http://www.image-dream.com/membre/up/anonym/86806640766cb4046e28fa43fc66d447.jpg" border="0" alt=""/>Спасибо

 
Привет

Параметры: Kn1 и VTN1 ..... это исправить?

Если я пытаюсь вычислить Vgs1 я получаю 6.47V, а это ведет к воротам напряжение 10.47V но превышает поставки напряжение 10V!!!

Привет

 
Да, они верны .....
Kn1 = 0.1mA / V ˛
VTN1 =
2 V

 
Нет ответа

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_cry.gif" alt="Плачущий или очень расстроенный" border="0" />
 
Привет

Я попытался, но с учетом информации, я не могу найти разумное решение.Есть ли W и L уделяется на транзисторы?
В противном случае я самый сослаться на мой предыдущий пост.

У вас есть решение?

PS
Взгляните на Sedra
И Смит ..... exellent книга

Привет

 
Большое спасибо за tryng ....
но все данные приведены

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_cry.gif" alt="Плачущий или очень расстроенный" border="0" />

... и этой книги, которые яДобавлено после 16 минут:tyassin .. Не могли бы вы показать мне все setps для пытаются, пожалуйста?

 
tyassin .. Не могли бы вы показать мне все setps для пытаются, пожалуйста?

 
К сожалению, не есть решение вашей проблемы, но я хотел бы предложить, чтобы построить схемы в SPICE для стартеров и испытания различных резисторе ценностей, чтобы найти свой путь.

 
Привет

Вы получите определенный ток 1mA в первый транзистор и резистор от источника 4KΩ.Вы можете рассчитывать на первое умов сопротивление просто сказать

V_drain = I * R_source ДСТС ..... где ДСТС равна 4V.

Так resitance это R_drain = (VDD-V_drain) / I = (10-8) / 1mA = 2KΩ

Теперь, если вы используете уравнение для FET в насыщенном регионе:

Я = ˝ * Kn * (Vgs-Vtn) ˛.Vgs = ворота Источник напряжения

В unknow является Vgs, вы можете решить эту проблему путем калькулятор, и он даст вам два решения, только один является правильным.

С выбранным Vgs, вам использовать это для расчета двух резисторов на воротах .... но это если у меня есть проблема, как я не могу получить действительное решение.

Тот же подход может быть использован на втором отделении.
Но, как отмечалось в предыдущем посту, пытаются имитировать .... Я хотел бы знать ответ, если вы делаете.

Привет

 
Цитата:

С выбранным Vgs, вам использовать это для расчета двух резисторов на воротах.
 

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top