Вопрос о TCAD пример

[prescott2006]

Привет, я хочу создать NMOS использованием Silvaco и изменить некоторые параметры, чтобы увидеть изменения в ВАХ, поэтому я открываю mos1ex01 редактировать, но я обнаружил, что существует линия "инициализации ориентации = 100 c.phos = 1e14 пространства. Mul = 2 ", мне любопытно, почему первоначальный субстрат, легированных фосфором, не следует, легированных бором или другой колонке-III элементов? :?

 

[timof]

исходного субстрата (так же, как кремний в целом), может быть, легированных акцепторами или донорами, так что нет никакого противоречия здесь, в этом примере ...

 

[prescott2006]

исходного субстрата (так же, как кремний в целом), может быть, легированных акцепторами или донорами, так что нет никакого противоречия здесь, в этой цитате ...[/ пример] Для NMOS, не является субстратом должно быть р-типа? Но если мы допинга с донорами, она станет га-типа не так ли? Я так запутался.:?

 

[erikl]

... нет никакого противоречия здесь, в этой цитате ...[/ пример] Я понимаю, NMOS потребности P-навалом. Тем не менее, 1e14 является достаточно низкое значение для MOSFET объемной концентрации легирующей , так что может быть эта информация на самом деле касается материальной базы допинг концентрации N-подложку двойной или тройной также процесс [/ U ], где NMOSFETs встроены в P-хорошо. MOSFET масса допинг концентрации (здесь: P-и концентрации для NMOS) можно найти в литературе еще в порядке 4e15 .. 3e17/cm ³ (последнее значение найдено 130 нм процесс).

 

[oke2005]

Для NMOS, не при нанесении должна быть р-типа? Но если мы допинга с донорами, она станет га-типа не так ли? Я так растерялся, .:?

Да, NMOS необходимо р-подложкой / тело, и исходного субстрата является п-типа. Но в примере (mos01ex01), сразу после инициализации линии, вы обнаружите, что оно создает Р-а имплантата как «подложка», или «тело» для вашего NMOS, а позже NMOS построен на вершине этой P -хорошо. Этот пример очень полезно для введение в моделирование обработки CMOS, вы должны быть знакомы с использованием хорошо, что даст соответствующее "подложки" в одной пластины для двух различных типов (п / р) устройства.

 

[Colbhaidh]

mos1ex01 является очень упрощенной модели. N легированных подложках очень распространены на власть устройств. Однако вы можете легко изменить инициализации заявление субстрата P использованием инициализации ориентации = 100 c.boron = 2e15 который является общим tyype P подложке допинга. Все современные процессы IC использовать P-Уэллс и N-Уэллс и не полагайтесь на подложке допинга